奥坤鑫（苏州）机电科技有限公司
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编号内容规格参数备注1整机结构带load port系统分为前端设备操作单元、前端EFEM单元及等离子处理单元，前端EFEM系统与等离子体处理单元分体式设计2等离子体源射频等离子体源或双频等离子体源3反应腔室标准设计为双反应腔室，可根据需求定制单反应腔室和多反应腔室结构4机械传片单臂或双臂高精度机械手5Wafer升降机械式Wafer pin升降结构，Wafer pin采用特定工艺处理6前真空泵干式真空泵，根据安装位置及工艺不同，选择100-300m3/h规···
编号 | 内容 | 规格参数 | 备注 |
1 | 整机结构 | 带load port系统分为前端设备操作单元、前端EFEM单元及等离子处理单元，前端EFEM系统与等离子体处理单元分体式设计 | |
2 | 等离子体源 | 射频等离子体源或双频等离子体源 | |
3 | 反应腔室 | 标准设计为双反应腔室，可根据需求定制单反应腔室和多反应腔室结构 | |
4 | 机械传片 | 单臂或双臂高精度机械手 | |
5 | Wafer升降 | 机械式Wafer pin升降结构，Wafer pin采用特定工艺处理 | |
6 | 前真空泵 | 干式真空泵，根据安装位置及工艺不同，选择100-300m3/h规格 | |
7 | 高真空真空泵 | 分子泵（水冷或CDA冷却） | |
8 | 工艺压力控制 | 自动调压蝶阀 | |
9 | 真空检测 | 管道真空计、反应腔室全量程真空计、工艺真空计、压差开关 | |
10 | 工艺气体种类 | 标准配置高纯Ar、N2、O2，可增加其他高纯工艺气体 | |
设备主要应用：晶圆级封装前表面预处理、晶圆级键合前表面活化、光刻胶涂覆前表面活化、晶圆表面较小particle去除、表面有机残留去除等。 设备主要特点：可兼容多尺寸晶圆、可实现多反应腔室定制、超洁净反应腔室，有效控制各种污染物、整机空间环境污染物控制、射频等离子发生器或双频等离子发生器、晶圆表面损伤小，可用于带图形晶圆的表面活化、等离子体密度高、均匀性好。 | |||
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