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ID7S0230 18V 半桥自举驱动芯片

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产品型号ID7S0230DEC-R1

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更新时间：2024-12-21 10:19:30浏览次数：9次

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产品简介

ID7S0230半桥自举驱动芯片是一款单相高压功率的MOSFET和IGBT栅极驱动器，其被优化用于驱动高侧和低侧功率晶体管

详细介绍

　　ID7S0230半桥自举驱动芯片是一款单相高压功率的MOSFET和IGBT栅极驱动器，其被优化用于驱动高侧和低侧功率晶体管。其浮地通道驱动设计能适应高达18V的BUS电压。由于工作电压范围宽，高低侧栅驱动电压可以被优化成效率。内部自适应死区电路可有效防止功率管共态导通并进一步降低了开关损耗。可通过控制使能引脚(EN)为低电平来关断驱动器的输出。

　　ID7S0230半桥自举驱动芯片特性　　

　　■ 高侧浮动偏移电压18V　　

　　■ 较宽的工作电压范围　　

　　■ 输入逻辑兼容3.3V和5V　　

　　■ 一路PWM信号控制两路输出　　

　　■ 自适应死区防直通电路　　

　　■ 使能功能引脚　　

　　■ HO输出与N同相，LO输出与IN反相　　

　　■ 所有通道延时匹配功能

　　封装/订购信息