详细摘要： PN6006集成PFM控制器及200V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源
产品型号：PN6006所在地：深圳市更新时间：2024-12-21 在线留言深圳市骊微电子科技有限公司
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详细摘要： PN6006集成PFM控制器及200V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源
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详细摘要： PN8054E集成PFM控制器及670V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源
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详细摘要： PN8192C集成PFM控制器以及730V高可靠性MOSFET，用于高性能、外围元器件精简、低功耗的交直流转换电源
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详细摘要： PN8141内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源
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详细摘要： PN8163内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源
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详细摘要： 锂电池升压芯片AP2004采用6引脚的扁平SOT-23封装，是一个恒定频率峰值电流模式的异步PWM升压转换器
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详细摘要： PN6775集成超低待机功耗原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW，PN6775超低功耗芯...
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详细摘要： PN8213内部集成了电流模式控制器和高压启动模块，专用于高性能的快速充电开关电源
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