PN8308H概述：
PN8308H大功率同步整流芯片包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。
PN8308H内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8308H同步整芯片集成了极为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、最小导通时间等功能。
PN8308H产品特征：
■ 内置10mΩ 80V Trench MOSFET
■ 适用于CCM，DCM和QR工作模式
■ 电流跟踪关断技术
PN8308H封装/订购信息：
PN8308H典型功率：
y
PN8308H典型应用电路：
PN8308H大功率同步整流芯片功能描述：
1.启动：在系统启动阶段，输出电压比较低时，芯片内置MOS体二极管作为次级的续流二极管。当VCC电压达到VCCon时，芯片开始工作;当VCC电压低到VCCoff时，芯片停止工作，芯片内置MOS体二极管作为次级的续流二极管继续工作。
2. 同步工作模式：芯片控制功率MOSFET开关以实现同步整流功能。具体工作机制如下：当芯片检测到Vds小于开启阈值时，控制器驱动功率MOSFET开启，此时Vgs达到值。随着Isd电流的减小，芯片检测到Isd达到调整阈值区，芯片会根据Isd的减小幅度来降低Vgs。当原边开关管导通时，Ids突变达到关断阈值，控制器将快速关断功率MOSFET。
3. 最小导通时间：在芯片控制MOSFET 开启初期，MOSFET 的漏端有较大的干扰信号，为了避免干扰信号导致芯片误触发关断信号，芯片加入了屏蔽时间。在屏蔽时间内，同步整芯片关断值会提高。在屏蔽时间结束后，芯片关断值会恢复正常值。
PN8308H 12v大功率同步整流芯片极限工作范围：
VCC 脚耐压……………..……….………………-0.3~26V
SW 脚耐压……………………….…….…..…. -0.3~80V
结工作温度范围……….…..….…..…...….….-40~150℃
存储温度范围………………………....…. ….-55~150℃
管脚焊接温度 （10秒）……………..……………...260℃
封装热阻RθJC （SOP-8）………………………….45℃/W
人体模式ESD 能力(1)（HBM）……..…...….……... ±3kV
