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600v 30a igbt SGT30T60SD1FD TO-220F封装参数

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产品型号SGT30T60SD1FD

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更新时间：2024-12-21 07:09:19浏览次数：14次

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产品简介

600V30AIGBTSGT30T60SD1FD是一种功率半导体器件，用于高压和大电流开关应用中，它的结构类似于一个晶体管和一个可控硅的组合，具有高效率和快速开关特性，600v30aigbtSGT30T60SD1FD常用于UPS，SMPS，电动工具以及PFC等领域

详细介绍

　　600V 30A IGBT SGT30T60SD1FD是一种功率半导体器件，用于高压和大电流开关应用中，它的结构类似于一个晶体管和一个可控硅的组合，具有高效率和快速开关特性，600v 30a igbt SGT30T60SD1FD常用于UPS，SMPS，电动工具以及PFC等领域。

　　600v 30a igbt SGT30T60SD1FD特点　　

　　■ 低导通损耗　　

　　■ 快开关速度　　

　　■ 高输入阻抗　　

　　■ 30A，600V，VCE(sat)(典型值)=1.65V@IC=30A

　　SGT30T60SD1FD极限参数（除非特殊说明，Tc=25℃）

参数		符号	参数范围	单位
集电极射极电压		VCE	600	V
栅极射极电压		VGE	±20	V
集电极电流	Tc=25℃	Ic	60	A
集电极电流	Tc=100℃	Ic	30	A
集电极脉冲电流		IcM	90	A
二极管电流 Tc=100℃		IF	15	A
耗散功率(Tc=25℃)		PD	230	W
工作结温范围		TJ	-55~+150	℃
贮存温度范围		Tstg	-55~+150	℃

　　600v 30a igbt SGT30T60SD1FD采用TO-220F封装，饱和压降VCE(sat)(典型值)=1.65V@IC=30A，，它通常用于电力电子装置和交流驱动器中，例如工业机器的电机控制系统、电源转换设备以及可再生能源系统的逆变器，提供高速开关和低能耗的解决方案，更多600v 30a igbt SGT30T60SD1FD 规格书等资料请向士兰微IGBT代理商骊微电子申请。>>

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