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SGTP5T60SD1F国产igbt 600v 5a可兼容AOD5B65M1

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SGTP5T60SD1F国产igbt 600v 5a可兼容AOD5B65M1
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产品型号SGTP5T60SD1F

品       牌

厂商性质其他

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产品简介

国产igbt600v5aSGTP5T60SD1F采用T0-220F-3L封装，饱和压降VCE(sat)(典型值)=1.5V@IC=5A，可兼容AOD5B65M1，是电机逆变IGBT，可广泛应用于UPS，SMPS以及PFC等领域

详细介绍

　　国产igbt 600v 5a SGTP5T60SD1F采用T0-220F-3L封装，饱和压降VCE(sat)(典型值)=1.5V@IC=5A，可兼容AOD5B65M1，是电机逆变IGBT，可广泛应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。
　　
　　SGTP5T60SD1F特征　　
　　■ 快开关速度　　
　　■ 高输入阻抗　　
　　■ 低导通损耗　　
　　■ 5A，600V，VCE(sat)(典型值)=1.5V@IC=5A
　　
　　国产igbt 600v 5a SGTP5T60SD1F参数
参数 符号 参数范围 单位
SGTP5T60SD1D SGTP5T60SD1F SGTP5T60SD1S
集电极射极电压 VCE 600 V
栅极射极电压 VGE ±30 V
集电极电流 Tc=25℃ Ic 10 A
Tc=100℃ 5
集电极脉冲电流 IcM 15 A
二极管电流 IF 10 A
短路维持时间 TSC 10 us
(VGE=15V,Vcc=300V)
耗散功率(Tc=25℃) PD 82 35 83 W
工作结温范围 TJ -55~+150 ℃
贮存温度范围 Tstg -55~+150 ℃
　　
　　SGTP5T60SD1F国产igbt 集电极射极电压600v，集电极电流Tc=100℃=5A，具有较低的导通损耗和开关损耗，更多国产igbt 600v 5a SGTP5T60SD1F可兼容AOD5B65M1规格书等资料请向士兰微IGBT代理商骊微电子申请。>>

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