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士兰微600v igbt单管SGT20T60SD1P7替代STGF19NC60KD

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更新时间：2024-12-21 07:05:44浏览次数：10次

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产品简介

士兰微600VIGBT单管是一种高压、高电流电力控制器件，它是基于MOSFET和双极晶体管工作原理设计而成的，具有双极型和单极型晶体管的优点，可用于驱动电机、变频器、逆变器等高功率应用场合

详细介绍

　　士兰微600V IGBT单管是一种高压、高电流电力控制器件，它是基于MOSFET和双极晶体管工作原理设计而成的，具有双极型和单极型晶体管的优点，可用于驱动电机、变频器、逆变器等高功率应用场合。

　　SGT20T60SD1P7替代STGF19NC60KD特点　　

　　■ 低导通损耗　　

　　■ 高输入阻抗　　

　　■ 快开关速度　　

　　■ 20A，600V，VCE(sat)(典型值)=1.65V@IC=20A

　　士兰微igbt单管SGT20T60SD1P7极限参数（除非特殊说明，Tc=25℃）

参数		符号	参数范围	单位
集电极射极电压		VCE	600	V
栅极射极电压		VGE	±20	V
集电极电流	Tc=25℃	Ic	40	A
集电极电流	Tc=100℃	Ic	20	A
集电极脉冲电流		IcM	60	A
二极管电流 Tc=25℃ Tc=100℃		IF	16
二极管电流 Tc=25℃ Tc=100℃		IF	8	A
短路维持时间 (VGE=15V,Vcc=300V)		TSC	10	us
耗散功率(Tc=25℃)		PD	139	W
工作结温范围		TJ	-55~+150	℃
贮存温度范围		Tstg	-55~+150	℃

　　士兰微igbt单管SGT20T60SD1P7集电极射极电压600V，集电极电流（Tc=100℃）20A，采用T0-247-3L封装，与ST/意法STGF19NC60KD极性、封装、电性参数等基本一致，可兼容替换，更多国产IGBT管替代进口IGBT管产品手册等相关资料向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>

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