SGTP5T60SD1D/F/S绝缘栅双极型品体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
SGTP5T60SD1D IGBT 5A 600V to252特征
■ 低导通损耗
■ 快开关速度
■ 高输入阻抗
■ 5A,600V,VCE(sat)(典型值)=1.5V@IC=5A
SGTP5T60SD1D/FS IGBT 5A 600V to252极限参数(除非特殊说明,Tc=25℃) 参数 | 符号 | 参数范围 | 单位 |
SGTP5T60SD1D | SGTP5T60SD1F | SGTP5T60SD1S |
集电极射极电压 | VCE | 600 | V |
栅极射极电压 | VGE | ±30 | V |
集电极电流 | Tc=25℃ | Ic | 10 | A |
Tc=100℃ | 5 |
集电极脉冲电流 | IcM | 15 | A |
二极管电流 | IF | 10 | A |
短路维持时间 | TSC | 10 | us |
(VGE=15V,Vcc=300V) |
耗散功率(Tc=25℃) | PD | 82 | 35 | 83 | W |
工作结温范围 | TJ | -55~+150 | ℃ |
贮存温度范围 | Tstg | -55~+150 | ℃ |
SGTP5T60SD1D IGBT 5A 600V to252晶体管,5A,600V,VCE(sat)(典型值)=1.5V@IC=5A,采用TO252封装,可兼容替换AOD5B65M1,典型应用于电机逆变 IGBT。