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SGTP5T60SD1D IGBT 5A 600V to252晶体管参数

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产品型号SGTP5T60SD1D

品       牌

厂商性质其他

所  在  地深圳市

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更新时间:2024-12-21 07:01:17浏览次数:12次

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产品简介

SGTP5T60SD1D/F/S绝缘栅双极型品体管采用士兰微电子第三代场截止(FieldStop)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域

详细介绍

  SGTP5T60SD1D/F/S绝缘栅双极型品体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
  
  SGTP5T60SD1D IGBT 5A 600V to252特征  
  ■ 低导通损耗  
  ■ 快开关速度  
  ■ 高输入阻抗  
  ■ 5A,600V,VCE(sat)(典型值)=1.5V@IC=5A
  
  SGTP5T60SD1D/FS IGBT 5A 600V to252极限参数(除非特殊说明,Tc=25℃)
参数 符号 参数范围 单位
SGTP5T60SD1D SGTP5T60SD1F SGTP5T60SD1S
集电极射极电压 VCE 600 V
栅极射极电压 VGE ±30 V
集电极电流 Tc=25℃ Ic 10 A
Tc=100℃ 5
集电极脉冲电流 IcM 15 A
二极管电流 IF 10 A
短路维持时间 TSC 10 us
(VGE=15V,Vcc=300V)
耗散功率(Tc=25℃) PD 82 35 83 W
工作结温范围 TJ -55~+150
贮存温度范围 Tstg -55~+150
  
  SGTP5T60SD1D IGBT 5A 600V to252晶体管,5A,600V,VCE(sat)(典型值)=1.5V@IC=5A,采用TO252封装,可兼容替换AOD5B65M1,典型应用于电机逆变 IGBT。

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