上海堂瑞实业有限公司
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VF526DT带速度和方向输出的双极锁存、双霍尔效应数字位置传感器集成电路产品说明VF526DT双极锁存双霍尔效应数字位置传感器集成电路在一个集成电路芯片内包含了2个相距1.4mm[0.055in]的霍尔感应元件，封装在热固成型材料中
VF526DT 双极锁存双霍尔效应数字位置传感器集成电路在一个集成电路芯片内包含了2 个相距1.4 mm [0.055 in] 的霍尔感应元件，封装在热固成型材料中。
2 个锁存型霍尔元件可提供沿封装面方向的磁场梯度（例如旋转环形磁铁的梯度）的速度与方向。
小型4 引脚SOT89 封装可以安装在PCB 板（印刷电路板）和柔性电路上。
VF526DT 内置温度补偿可匹配于经济型磁铁的温度系数，以实现可靠、高性价比的传感器- 磁体组合。
的稳压电路设计提供了非常稳定的运行，电源电压可低至3.4V，高至24V。可与许多电子元件直接相连，而无需缓冲或补偿电路。
| 参教 | 符号 | 最小值 | 值 | 单位 | 注1 |
| 电压 | Vcc | -0.5 | 30 | V | 值为器件可承受且不发生损坏的极限值。但 是，在上述建议的工作条件下接近限值时，电气与 机械特征参数可能无法保持，器件也不应在额 定值条件下工作。 |
| 输出电压（关闭） | Vout | -0.5 | 30 | V | |
| 输出电流 | Iout | - | 10 | mA | |
| 存储温度 | TS | -65 [-85] | 160 [320] | ℃[°F] | |
| 工作湿度 | T | -40 [-40] | 150 [302] | ℃[°F] | |
| ESD: IEC 801-2,1级 MIL-STD-883，3015.7测试法 | ESD | 2 4 | - - | KV | |
| 磁通量 | - | 无限制 | - - | ||
| 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 值 | 单位 |
| 磁场触发类型 | 双极锁存 | |||||
| 输出上施加的电压 | 双集电极开路，灌电流（速度和方向） | |||||
| 供电电压 | Vcc | - | 3.4 | - | 24 | Vdc |
| 工作温度 | Temp | Vcc = 3.4 V to 24 V | 40 [-40] | - | 125 [257] | ℃[°F] |
| 供电电流（导通） | Ioff | Vcc = 24 V, -40 ℃ < T < 125 °C, Vout = 24 V, B 40 [-401 | - | 12 | mA | |
| 负载电流 | Isink | Vcc = 24 V, -40 °C < T < 125 °C, Isink = 5 mA, B - | - | 5 | mA | |
| 饱和输出电压 | Vsat | Vcc = 24 V, -40 °C < T < 125 °C, Isink = 5 mA, B - | - | 0.4 | V | |
| 电路的直接延迟速度 | Td | Vcc = 12 V, RL = 1.6 kOhm, CL = 20 pF | - | - | 5 | μs |
| 上升时间 | Tr | Vcc = 12 V, RL = 1.6 kOhm, CL = 20 pF | - | - | 1.5 | μs |
| 下降时间 | Tf | Vcc = 12 V, RL = 1.6 kOhm, CL = 20 pF | - | - | 1.5 | μs |
| 频率 | Top | Vcc = 12 V, RL = 1.6 kOhm, CL = 20 pF | <1 | - | &1000 | Hz |
| 动作点 | Bop | T = 25 °C -40 °C < T < 125 °C | - -60 | 130 - | - -200 | Gauss |
| 释放点 | Brel | T = 25 °C -40 °C < T < 125 °C | - -60 | 130 - | - -200 | Gauss |
| 回差 （动作点-释放点） | Diff | T = 25 °C -40 °C < T < 125 °C | - -200 | 260 - | - -320 | Gauss |
| 对称点 （[动作点+释放点]/2） | Sym | T = 25 °C -40 °C < T < 125 °C | - -65 | 0 - | - 65 | Gauss |
| 封装类型 | SOT-89B | |||||
| 湿度灵敏度测试 | JEDEC J-STD-020B标准，MSL 1级 | |||||
| 包装数量 | 每卷1000个/卷带式包装 | |||||
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