产品介绍：
明华4442卡
主要指标：
256字节EEPROM组织方式
32位保护存储器组成方式
3字节用户密码，密码错误计数：3次。
温度范围：0℃~70℃
至少10万次擦写
至少10年数据保存期
明华4428卡
主要指标
1024字节的EEPROM
1024字节的写保护区（固化数据）
2字节的密码，错误计数8次
温度范围：-35℃~80℃
至少100,000次擦写循环
至少10年数据保存期
明华24C01A/02/04/08/16/64系列卡
主要特点：
存储卡；
容量分别为1k/2k/4k/8k/16k/64k bit；
循环擦写：1,000,000次；
数据保存期：100年；
温度范围：-250C-700C；
结构单一，无分区，只有读、写操作。
明华93c46/93c46A
主要特点：
非加密存储卡；
容量：1024 bit ；
串行三线总线；
循环擦写：1,000,000次；
数据保存期：100年；
温度范围：-25oC-70oC；
结构单一，没有分区，只有读写两种操作；
93C46是按单字节读写，93C46A按双字节进行读写。
明华1101卡
SSF1101为4Mbit的串行闪速存储器（Flash Memory）, 串行口符合SPI协议. 芯片具有四根器件识别脚,
因此在一个系统中可以扩展使用多达16片.
主要特点:
SPI串行数据接口，符合SPI标准
4M Bit 闪存 存储器，512页面，每页面1024字节
内置 4 位器件地址译码电路，可直接并联扩展存储容量，最多可连接16片芯片
双1K字节的数据缓冲器，可在编程期间写入或读取数据, 读取/写入地址自动递增
高速页面编程，典型时间 20 ms
高速页面到数据缓冲器传输，典型时间 100 us
内置擦除/编程时序逻辑
页面擦除典型时间 10 ms
器件擦除典型时间 2 s
硬件写保护
10 MHz时钟频率
低功耗，单电源5V工作，有低电压2.7V~3.5V可选择
约18uA 典型休眠电流
CMOS 和 TTL 输入/输出电平兼容
宽工作温度( 商用 )
内置加电复位电路
在进行Buffer和主Flash之间的传送或比较时，可操作未用的Buffer和状态寄存器
明华88SC1604卡
主要特点：
16Kbit带保护逻辑EEPROM；
一个公用区及四个应用区；
三重密码保护；
温度范围:-25oC~70oC；
100,000次擦写循环；
数据保存期达10年。
明华4404卡
主要指标：
416位容量
208位的应用区
2字节用户密码，密码错误计数器：4次
温度范围：-35℃~80℃
至少10,000次循环擦写
至少10年的数据保存期
明华4406卡
主要指标
104位容量
可提供20 480计数单位
3字节密码
温度范围：-35℃~80℃
至少10,000次循环擦写次数
至少10年数据保存期
明华AT45D041卡
功能： - 主存储器容量为4，325，376bit
- 由2048页组成，每页264字节
- 两个264字节的数据缓存器
- 温度范围：-250C—700C
- 工作频率为10MHz()
- 工作电压为5V土10％
- 工作电流读为25mA，写为50mA
- 数据保持100年
这种型号的IC卡为ATMEL存储卡，是一种不具备加密功能、大容量的FLASH存储卡，存储容量为4M位，主存储区有2048页(每页容量为264字节)，同时还提供两个独立双向的数据缓存区(每个数据缓存区容量为264字节)，页写方式为264字节，页写入时间为7ms。存储结构简单，主要用于存放一些保密性要求不高、数据量极大的数据，如声音、图像或数据。
明华AT45DB041卡
功能：
- 主存储器容量为4，325，376bit
- 由2048页组成，每页264字节
- 两个264字节的数据缓存器
- 温度范围：-250C—700C
- 工作频率为10MHz()
- 工作电压为2.7V－5.5V
- 工作电流读为25mA，写为50mA
- 数据保持100年
这种型号的IC卡为ATMEL存储卡，是一种不具备加密功能、大容量的FLASH存储卡，存储容量为4M位，主存储区有2048页(每页容量为264字节)，同时还提供两个独立双向的数据缓存区(每个数据缓存区容量为264字节)，页写方式为264字节，页写入时间为7ms。存储结构简单，主要用于存放一些保密性要求不高、数据量极大的数据，如声音、图像或数据。
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接触型IC卡