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高品质大面积激光镜面镀膜系统(直径350mm晶圆)

参考价面议
具体成交价以合同协议为准
  • 公司名称上海续波光电技术有限公司
  • 品       牌
  • 型       号
  • 所  在  地上海
  • 厂商性质其他
  • 更新时间2022/9/2 11:02:09
  • 访问次数127
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上海续波光电技术有限公司是一家专业从事高性能薄膜沉积及处理设备、光电材料及软件、金刚石合成及应用、激光等离子体仿真和诊断等产品及服务进口的技术贸易服务型公司。公司至今已与法国、德国、英国、瑞士、意大利、美国、加拿大、日本、俄罗斯等国家的多家企业建立了战略合作关系,并服务于国内从事微电子、半导体、光学、纳米技术等领域的研究所和大学。公司从事领域及产品主要包括:加速器质谱仪:第三代14C加速器质谱仪系统(AMS),包括全套可兼容第三代石墨化系统AGE3、气动压样装置PSP、铁制分配器FED、管密封装置TSE、气体电离探测器GID、气体接口系统GIS、碳酸盐处理系统CHS、同位素比质谱仪IRMS。薄膜制备及处理:磁控溅射仪(magnetron sputtering system)、电子束蒸镀设备(E-beam Evaporation system)、离子束溅射沉积(IBS system)、化学束外延镀膜(CBE/GSMBE)、分子束外延设备(MBE)、离子减薄仪(Ion Milling)、超高真空多功能镀膜设备、高精密光学镀膜设备(Optical Coating system)、刻蚀机(RIE, RIEB)、超导约瑟夫森结制备(Josephson Junction, Qubits);金刚石制备及应用:纳米晶金刚石制备设备、热丝化学气相沉积(HFCVD)、CVD单晶金刚石合成设备、CVD光学级金刚石窗口合成、微波等离子化学气相沉积(MPCVD)、工具级金刚石涂层制备(tool coating)、金刚石单晶/多晶掺杂(single crystal diamond and doping)、CVD金刚石单晶及其应用、高温高压金刚石单晶(HPHT diamond)、金刚石抛光设备(diamond polishing)、激光切割设备(laser cutting)、钻石净度及切工评定仪器;高能密度物理:辐射流体力学模拟、原子光谱分析软件、多维碰撞辐射软件、三维热辐射CAD软件、状态方程和不透明度、原子物理数据库;微波干涉仪、金刚石靶丸、超高功率输出窗口;激光器与设计:固体激光器设计软件(Solid-state Laser)、光纤激光器设计软件(Fiber laser)、半导体激光器设计软件(Semiconductor laser)、激光镜面镀膜设备(Lasers coating system)、高功率激光输出窗口(High power output window)、高功率激光热沉片(Heat Sink)、高功率钻石激光器(Diamond Laser)、金刚石窗口镀增透膜(AR coating service);
质谱仪
高品质大面积光学薄膜沉积系统1.主腔体:圆柱形304不锈钢、长方形前门、2个观察窗口、大约1000L2.真空系统:螺旋泵80m3/h+低温泵10,000l/s(N2)3.离子源:RF耦合(2MHz),filament-free离子源用于惰性气体和氧气束径100mm
高品质大面积激光镜面镀膜系统(直径350mm晶圆) 产品信息

高品质大面积光学薄膜沉积系统

 

1.       主腔体:圆柱形304不锈钢、长方形前门、2个观察窗口、大约1000L

 

2.       真空系统:螺旋泵80m3/h+低温泵10,000 l/s (N2)

 

3.       离子源:RF耦合(2MHz), filament-free离子源用于惰性气体和氧气

                         束径100mm, 电流>200mA,电子能量1-2 KeV

                        工艺气体:4个流量控制机,用于氧气、稀有气体

                        Ar等离子体,电子束流500mA

      3a.     离子源升级:代替标准离子源(3)

                                RF耦合(2MHz), filament-free离子源用于惰性气体和氧气

                                束径150mm,电流大于500mA,电子能量大于1 KeV

                                工艺气体:4个流量控制器,用于氧气、稀有气体等

                                Ar等离子体,电子束流900mA

      3b.     辅助离子源:RF耦合(2MHz), filament-free离子源用于Ar和氧气

                                      工艺气体:2个流量控制器,氧气和稀有气体

                                束径100mm,离子能量200-1000 eV,束流0-200mA

 

4.                 400m×200mm (标准3);400mm×250mm(选项3a)

                              标准材料:Ta>99.998%,Si>99.999%

      4a.      可选靶  200mm×200mm 或200mm×250mm     

                              材料:Nb>99.95%, HfO2>99.99%, Al>99.999%, Ti>99.99%

                              更高纯度或其他材料可以提要求

 

      5   样品台        平面、真空兼容Al样品台

                              Bottom-up coating 法

                              沉积区域直径200mm(标准3)、沉积区域直径350mm(选项3a)

                              旋转速度0-120rpm

      5a.         Load Lock可选  

                    直径400mm,加载重量5kg

                    螺旋泵+分子泵抽高真空

                    手动加载,自动送样

      5b.        衬底加热可选    

                   石英加热器,最小功率1.6KW,衬底温度280℃

                   采用热电偶控温

 

       6.    OMS               波长范围380-1050nm

                                     波长分辨率2nm

                                     测量误差补偿<0.2%

                                     测量误差噪音<1%峰值(@650nm)

                                     全自动控制

                                     积分时间:2ms

 

       6a.    DUV可选          DUV延长宽波段OMS

                                        波长范围230-380nm

                                        波长分辨率2nm

                                        测量误差补偿<2%

                                        测量误差噪音<1%峰值(@350nm)

                                        积分时间:10ms

 

        6b.     IR可选           波长范围900-1700nm

                                        波长分辨率5nm

                                        测量误差补偿<2%

                                        测量噪音<1%峰值(@1200nm)

                                        积分时间:12ms

 

        7     系统性能表现:

                       真空度    基准真空度<3×10-7mbar

                                      工作气压<1×10-3mbar

                       标准靶     沉积速率0.15nm/s (Ta2O5, SiO2) @200mm直径 (标准3)

                                       沉积速率0.15nm/s (Ta2O5, SiO2) @350mm直径(3a选项)

                       薄膜均匀性         优于±1%@<直径200mm(标准3)

                                                   优于±1%@<直径350mm(选项3a)

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