FD200R12KE3FD200R12KE3

infineon FD200R12KE3, eupec FD200R12KE3,图片。

> H桥(4单元)

产品型号 参数说明 封装形式

F4-30R06W1E3 30A , 600V , IGBT3 EasyPACK 1B

F4-50R06W1E3 50A , 600V , IGBT3 EasyPACK 1B

F4-75R06W1E3 75A , 600V , IGBT3 EasyPACK 1B

 图片PDF中文资料，datasheet详细参数，中文参数，操作方案，进口*现货价格，产品库存状况。（如有需要 敬请“安科半导体"，可提供）

infineon IGBT单管,EUPEC IGBT单管, 英飞陵IGBT单管, EUPEC IGBT单管,电磁炉用IGBT,IKP IGBT,IHW系列：

高频600V硬开关频率fK≤150KHZ；

快速1200V硬开关频率fK≤50KHZ；

低饱和压降600V硬开关频率fK≤50KHZ；

低饱和压降1200V硬开关频率fK≤20KHZ；

600V系列IGBT模块，1200V系列IGBT模块，1600V系列IGBT模块，1700V系列IGBT模块，3300V系列IGBT模块 ，6500V系列IGBT模块：

DN2系列：频率范围10KHZ-20KHZ，饱和压降：2.5V-3.1V；

DN2系列：频率范围4KHZ-8KHZ，饱和压降：2.1V-2.4V；

KS4系列：频率范围15KHZ-30KHZ，饱和压降：3.2V-3.85V；

KE3系列：频率范围4KHZ-10KHZ，饱和压降：1.7V-2.0V；

KT3系列：频率范围8KHZ-15KHZ，饱和压降：1.7V-1.9V；

，可控硅，infineon , eupec 。