SENS-IT对于CO、NO2、O3、C6H6、CH4气体采用厚膜金属氧化半导体技术(TF-MOS,Thick Film Metal Oxide Semiconductor Technology)。传感器的活性表面是纳米结构的半导体金属氧化物,传感器表面发生的个反应是大气中氧的吸附,由此从氧分子到半导体产生电荷转移。第二个反应与特定的要监测的气体有关,该气体与吸附的氧发生反应(氧化还原反应),使得电子在半导体的传导带中进行释放。通过提取这些反应中所产生的电流信号,就可计算出该种气体的浓度。传感器的选择性和准确度则是通过使用特殊半导体金属氧化物实现的,由于传感器的稳定性和无需消耗活性表面,保证了长期的数据重复性,而无需经常维护保养。