深圳市信为科技发展有限公司
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超小型半导体应变计
超小型半导体应变计采用扩散型工艺，利用单晶硅的压阻效应，通过微电子制造工艺加工而成。它将几个应变电阻，同时制作在同一芯片上，采用这种工艺给使用者带来了极大方便，具有体积小、灵敏度高、极限应变大、响应快、寿命长、使用灵活方便等特点。
片内的四个应变敏感电阻，是采用首尾相连的方式连接在一起，只有一处为电桥的开口，输出五个引脚（即该应变电桥5根引线），使每个电阻都能被独立的测量到阻值。这样方便应变片在粘贴工艺完成后，进行调零；
片内的四个电阻直接组成惠斯通电桥，粘贴工艺完成后从应变片的4个焊盘引线出来便可应用；
片内的两个电阻为独立电阻，每个电阻有2根引脚，根据实际场景可将两个应变片的四个电阻组成惠斯通电桥。
可广泛应用与各种力学量：力、盈利、应变、压力、位移、速度、加速度、流量、振动等测量，尤其适用于轻、薄、小结构中的力学量的测量。
| 阻值范围 | 2kΩ~5 kΩ | 12KΩ±20% | 9KΩ±20% |
| 标准电阻（25°C，不受力） | 2.4 kΩ±5% | 13KΩ±5% | 10KΩ±5% |
| 灵敏度 | ≥0.4mV/µɛ@5V | >0.35mV/µɛ@5V | >0.40mV/µɛ@5V |
| 应变极限 | ≥2000µɛ | ≥1200µɛ | ≥1200µɛ |
| 零点输出 | ≤80mV | ≤±20mV | ≤±20mV |
| 灵敏度热漂移 | ≤0.2%/°C | ≤0.5%FS/°C | ≤0.5%FS/°C |
| 工作温度 | -55°C~85°C | ||
| 反向漏电流 | ≤1x10-8A(暗) | ||
| 反向击穿电压 | ≥50V（硬） | ||
| 疲劳寿命 | ≥107次 | ||
| 电源 | 恒压源≤12VDC，恒流源≤mA | ||
| 外型尺寸 | 1.3x1.3mm | 1.4x1.4mm | 0.8x1.4mm |
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