特点
紧凑型设计，分辨率为4 nm*1
通过高灵敏度二次电子探测器，背散射探测器，低真空探测器（UVD*2），实现低加速电压/低真空下高质量图像观察
操作简捷，即使新手也能拍出高质量的图片
新开发的导航功能「SEM MAP」，便于快速锁定视野
大窗口（30 mm2）SDD能谱系统，便于快速分析元素成分*2
规格
| 项目 | 内容 |
| 分解能*3 | 4.0 nm @ 20 kV （SE：高真空模式） |
| 加速电压 | 0.3 kV ～ 20 kV |
| 放大倍率 | 6× ～ 300,000× （底片倍率） |
| 低真空模式 | 真空范围：6 ～ 100 Pa |
| 电子枪 | 预对中钨灯丝 |
| 样品台 | 3-轴自动马达台 |
| 样品尺寸 | 直径80 mm |
| 样品高度 | 40 mm |
| 尺寸 | 主机：450（W） x 640（D） x 670（H） mm |
| 探测器选配 | · 高灵敏度低真空二次电子探测器（UVD） · 能量分散型X线探测器（EDS） |
