■ DSi200/DSi300硅光电探测器
硅光电探测器（Si）
———室温型探测器，波长范围：200-1100nm
两种型号的探测器室的外观相同，其中：
◆ DSi200型内装进口紫敏硅光电探测器
◆ DSi300型内装国产低暗电流硅光电探测器
◆ *配合I-V放大器（型号：ZAMP）使用
两种型号硅光电探测器的光谱响应度曲线图：（右） | | |
型号列表及主要技术指标：
技术指标＼型号名称 | DSi200 紫敏硅探测器 | DSi300 硅探测器 | | 进口紫外增强型 | 国产低暗电流型 | 有效接收面积（mm2） | 100（Φ11.28） | 100（10×10） | 波长范围（nm） | 200-1100 | 300-1100 | 峰值波长（nm） | ------- | 800±20 | 峰值波长响应度（A/W） | 0.52 | >0.4 | 254nm的响应度（A/W） | 0.14（>0.09） | ------- | 响应时间（μs） | 5.9 | ------- | 工作温度范围（℃） | -10～+60 | ------- | 储存温度范围（℃） | -20～+70 | ------- | 分流电阻RSH（MΩ） | 10（>5） | ------- | 等效噪声功率NEP （W/√Hz） | 4.5×10-13 | ------- | 暗电流（25℃；-1V） | ------- | 1X10-8—5×10-11 A | 结电容（pf） | 4500 | <3000（-10V） | 信号输出模式 | 电流 | 电流 | 输出信号极性 | 正（P） | 正（P） |
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硅光电探测器使用建议：
◆ DSi200/DSi300均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；
◆ DSi200/DSi300配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；
◆ DSi200/DSi300配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器。
