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长江存储首席科学家：我国三维闪存芯片技术实现从落后到赶超
2025-07-08 11:18:19快科技阅读量：18223 我要评论
7月6日消息，据媒体报道，在2025年北大研究生毕业典礼上，长江存储首席科学家、校友霍宗亮作为校友代表发言，为毕业生们送上祝福与建议。
霍宗亮表示，北大自诞生之日起，就肩负着民族复兴的使命；北大人的血液里，流淌着“家国天下”的基因。我们要做的就是不害怕坐冷板凳，不贪求快速的回报，在自主研发的道路上默默奋斗。
在长江存储的这十来年，团队卧薪尝胆，一路披荆斩棘，使我国的三维闪存芯片技术从无到有，从落后到赶超，实现了跨越式的发展。
霍宗亮还称，在任何一个领域，想要取得一番突破性的成就，都要做好吃些苦头的心理准备。
据悉，长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月，总部位于“江城”武汉，是一家集芯片设计、生产制造、封装测试及系统解决方案产品于一体的存储器IDM企业。
2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。2019年9月，搭载长江存储自主创新Xtacking架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产。
2020年4月，长江存储宣布第三代TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2-6070型号作为首款第三代QLC闪存，拥有发布之时业界最高的I/O速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。
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