最低5nm工艺河南研究院成功研发半导体装备利器

2022-04-07 18:12:02快科技阅读量：410      我要评论

导读：据悉，该设备采用的模块化设计，可支持不同脉宽(纳秒、皮秒、飞秒)激光器。

　　据半导体行业观察报道，日前位于河南郑州的中国长城旗下的郑州轨道交通信息技术研究院成功研发了支持超薄晶圆全切工艺的全自动12寸晶圆激光开槽设备，可支持5nm DBG工艺。

　　据官方介绍，该设备除了具备常规激光开槽功能之外，还支持5nm DBG工艺、120微米以下超薄wafer全切割功能、晶圆厂IGBT工艺端相关制程和TAIKO超薄环切等各种高精端工艺，为国产化半导体产业链再添“利器”。

　　据悉，该设备采用的模块化设计，可支持不同脉宽(纳秒、皮秒、飞秒)激光器。

　　自主研发的光学系统，可实现光斑宽度及长度连续可调，配合超高精度运动控制平台等技术，与激光隐切设备结合、相辅相成，解决了激光隐切设备对表面材质、厚度、晶向、电阻率的限制，真正实现了工艺的全兼容，对有效控制产品破损率、提高芯片良率有着极大帮助。

　　高端智能装备是国之重器，是制造业的基石，半导体工业在实现中国制造由大到强的发展中肩负重要使命。

　　据介绍，郑州轨交院的研发团队与国内著名高校的有名专家攻克技术难题，取得了国产开槽设备在5nm先进制程以及超薄工艺(处理器等产品)的重大突破，在晶圆加工稳定性、激光使用效率、产品切割质量等方面均达到了新的高度。

　　目前，芯片设计越来越小，要求设备精度越来越高，该设备的成功研制不仅标志着中国长城在晶圆激光切割领域已经拥有强大的技术研发实力，也将助力封装厂家提升工艺水平、开展新工艺，助力芯片设计公司设计出更为先进制程的芯片，对进一步提高我国智能装备制造能力具有里程碑式的意义。

　　(原标题：最低5nm工艺河南研究院成功研发半导体装备利器)

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