开放式TEM横电波小室TBTC
概述
EMC电磁兼容辐射骚扰测试或抗扰度测试通常在电磁屏蔽室中进行，使用天线接收辐射信号。由于带宽限制，需要多个天线才能覆盖整个频率范围。此外，屏蔽暗室需要很大的空间场地，并且用于标准一致性测试的设备成本很高。
中小型企业的工程师通常必须依靠工作经验和实践方法来设计符合EMC的产品。但是，据估计，有超过50％的产品在测试中未通过。当新产品送至认证实验室进行合规性测试时，测试失败具有非常高的成本，不仅重新测试成本，同时项目进度和市场推广也被推迟。
因此需要的是一个价格合理的实验室，可以在合规性测试之前工程师自己在实验室中进行辐射骚扰预测试。TEM单元是用于桌面辐射骚扰测试的设备，Tekbox开发的开放式TEM单元，频率覆盖高达2GHz范围，即使在更高的频率（6GHz）下也具有可用性。
TEM单元可与频谱分析仪结合使用，可以对产品EMC相关的设计修改前后对产品进行验证测试。TEM Cell装置无法得到与经过认证的实验室测量相同的测量结果，但是它能很好的表明产品设计是否有辐射骚扰，工程师将清楚地看到辐射情况，它所做的是产品更改是否改善了EMC性能，或者它是否保持不变。使用TEM单元消除了对产品辐射骚扰的猜测。
TEM单元是用于电子设备的辐射发射和抗扰度测试的带状线设备。由于其尺寸和成本，它不是认证测试实验室的替代品，它是在实验室中进行测量的便捷替代方法。
TEM单元由隔板，中间部分的导电条和接地的壁组成。呈现为几何形状设计的50Ω带状线。被测设备（DUT）放置在底壁和隔板之间。
TBTC1 / 2/3是开放式TEM单元，它没有侧壁，便于放置DUT。没有侧壁可能会拾取环境背景噪声，但是可以通过在DUT上电之前对单元输出信号进行测量环境噪音来将其考虑在内。
TEM Cell用于EMC一致性预测试---辐射抗扰度
抗扰度测试由射频信号发生器输出经射频放大器后连接TEM单元，隔板将射频信号辐射到DUT中，射频信号通常是调幅（AM）或脉冲调制
与同等尺寸标准TEM单元相比，Tekbox开放式TEM单元具有更好的频率响应。TEM单元的高阶波模式的限制可用带宽。Tekbox TEM单元的设计实现了垂直于所需波传播方向的电阻。因此，高阶波和共振被抑制。
所有TEM单元都提供50Ω/25W射频终端负载和直流块，用于保护频谱分析仪或接收机输入
抗扰度完整解决方案
频谱分析仪：可以使用普源DSA815、鼎阳SSA3021X，VSA6G2A或其他品牌，也可使用二手频谱仪（如N9020A）
射频功率放大器：我们Tekbox提供了一系列调制功率放大器，非常适合进行低成本的抗扰度测试。如：TBMDA1(40M-3G)、TBHDR1(30K-1.5G)等。这些放大器内置调制器以生成所需的调制格式，由频谱分析仪的跟踪源输出驱动，因此可以不投资RF信号发生器.
根据选择的调制信号放大器以及TEM单元，通过这种设置可以产生高达几百伏的场强，更多信息请参
考调制放大器的数据表。
考虑到电场与隔板正交，要考虑DUT测试最坏的情况，请将其定位在TEM单元内，使PCB迹线垂直与隔
板方向，使其暴露场强下.
TBTC0，应用射频功率 | 隔板与壁之间的场强 |
10W（40dBm） | 799 V/m |
1W（30dBm） | 253 V/m |
0.1W（20dBm） | 82 V/m |
0.01W（10dBm） | 25 V/m |
TBTC0 ,场强与射频功率
TBTC1，应用射频功率 | 隔板与壁之间的场强 |
10W（40dBm） | 447 V/m |
1W（30dBm） | 141 V/m |
0.1W（20dBm） | 44 V/m |
0.01W（10dBm） | 14 V/m |
TBTC1 ,场强与射频功率
TBTC2，应用射频功率 | 隔板与壁之间的场强 |
10W（40dBm） | 224 V/m |
1W（30dBm） | 71 V/m |
0.1W（20dBm） | 22 V/m |
0.01W（10dBm） | 7 V/m |
TBTC2 ,场强与射频功率
TBTC3，应用射频功率 | 隔板与壁之间的场强 |
10W（40dBm） | 148 V/m |
1W（30dBm） | 47 V/m |
0.1W（20dBm） | 14 V/m |
0.01W（10dBm） | 5 V/m |
TBTC3 ,场强与射频功率
TEM Cell用于EMC一致性预测试---辐射骚扰
TEM单元与频谱分析仪或接收机配合使用，可以对产品EMC相关整改前后对产品进行测试验证，工程师可以清楚的看到整改效果.
技术指标
TBTC0 | |
长度 | 390 mm |
宽度 | 100 mm |
高度 | 62 mm |
隔垫高度 | 28 mm |
隔垫下方矩形区域尺寸 | 19×7×2.8 cm |
连接器 | N型-母 |
单元阻抗 | 50欧 |
阻抗 | 377欧 |
射频输入功率 | 10W （受提供50端接空限制） |
输入回波损耗 | S11 @ 3.15G ＜ -1.5dB |
传输损耗 | 3G ＜ 3dB, 6G ＜ 4dB |
TBTC1 | |
长度 | 390 mm |
宽度 | 200 mm |
高度 | 108 mm |
隔垫高度 | 50 mm |
隔垫下方矩形区域尺寸 | 19×13×5 cm |
连接器 | N型-母 |
单元阻抗 | 50欧 |
阻抗 | 377欧 |
射频输入功率 | 25W （受提供50端接空限制） |
输入回波损耗 | S11 @ 1.2G＜-20dB；2.1G＜-17dB； 3G＜-14dB |
传输损耗 | 1.4G＜1dB, 2.1G＜3dB，3G＜6dB |
TBTC2 | |
长度 | 636 mm |
宽度 | 300 mm |
高度 | 205 mm |
隔垫高度 | 100 mm |
隔垫下方矩形区域尺寸 | 23×28×10 cm |
连接器 | N型-母 |
单元阻抗 | 50欧 |
阻抗 | 377欧 |
射频输入功率 | 25W （受提供50端接空限制） |
输入回波损耗 | S11 @ 800MHz＜-15dB；1.5G＜-10dB； 3G＜-8dB |
传输损耗 | 800MHz＜1dB, 1.15G＜3dB |
TBTC3 | |
长度 | 1038 mm |
宽度 | 501 mm |
高度 | 305 mm |
隔垫高度 | 150 mm |
隔垫下方矩形区域尺寸 | 36×48×15 cm |
连接器 | N型-母 |
单元阻抗 | 50欧 |
阻抗 | 377欧 |
射频输入功率 | 25W （受提供50端接空限制） |
输入回波损耗 | S11 @ 700MHz＜-16dB； |
传输损耗 | 730MHz＜3dB |
DC-Block 50V-6GHz-N | |
连接器 | N-Male / Female |
标称阻抗 | 50欧 |
连续射频功率 | 2W |
连续射频电压 | 50V RMS |
频率 | 500KHz – 6GHz |
VSWR | ≤ 1.2 |
插入损耗 | MHz 0.3 0.7 1 10 100 1000 3000 |
dB 7.5 3 1.5 0.02 0.02 0.06 0.2 | |
RF终端 50Ω-3GHz-25W-N | |
连接器 | N |
标称阻抗 | 50欧 |
连续射频功率 | 25W |
频率 | DC-3GHz |
VSWR | ≤1.2 |
三阶互调 | ≤120dBc |
RF终端 50Ω-6GHz-10W-N | |
连接器 | N |
标称阻抗 | 50欧 |
连续射频功率 | 10W |
频率 | DC-6GHz |
VSWR | ≤1.2 |
三阶互调 | ≤120dBc |
质保 | |
质保 | 1年 |
